Des chercheurs chinois affirment qu’un transistor sans silicium bat des records de vitesse et d’efficacité.

Des chercheurs chinois de l’Université de Pékin ont mis au point un transistor révolutionnaire sans silicium utilisant l’oxyséléniure de bismuth et une architecture gate-all-around, qui offrirait des performances 40 % supérieures tout en consommant 10 % d’énergie en moins que les puces en silicium les plus avancées d’Intel, marquant potentiellement un changement de paradigme dans la technologie des microprocesseurs

https://www.perplexity.ai/page/chinese-researchers-claim-sili-TX69hxgsQuquX2uipTMRAQ